Производство полупроводников

0
Станки б/у для использования в производстве полупроводников
Ваши настройки фильтра не дали никаких результатов. Ваши настройки фильтра не дали никаких результатов. Измените или удалите фильтры, чтобы увидеть больше результатов.

Рекомендации для Вас

Станки и оборудование после банкротства, закрытия или реструктуризации предприятий.

Токарный станок с ЧПУ MORI SEIKI NL 2000Y/500
shape
OLMA P.2.T. Profile Line
shape
Нидерланды, 4873 LA Etten-Leur
OLMA P.2.T. Profile Line
TSUGAMI M08SYE-II CNC automatic lathe
shape
Германия, 78559 Gosheim
TSUGAMI M08SYE-II CNC automatic lathe
Многооперационный станок с ЧПУ (деревообработка) FELDER C-Express 920 classic
shape
Универсальный обрабатывающий центр EMMEGI PHANTOMATIC M3
shape
Токарный станок с ЧПУ HYUNDAI SKT21LM
shape
Сварочный модуль REIS
shape
Германия, 40472 Düsseldorf
Сварочный модуль REIS
Токарный станок с ЧПУDMG CTX 510 eco
shape
Чехия, 664 54 Nesvačilka 664 54
Токарный станок с ЧПУDMG CTX 510 eco
Прессовый листогиб BAYKAL APHS 4109x220
shape
Нидерланды, 4873 LA Etten-Leur
Прессовый листогиб BAYKAL APHS 4109x220
TSUGAMI M08DE-II CNC automatic lathe
shape
Германия, 78559 Gosheim
TSUGAMI M08DE-II CNC automatic lathe
Гибочный пресс AMADA HFP 100-3S
shape
Франция, область Ille-et-Vilaine
Гибочный пресс AMADA HFP 100-3S
Экскаватор YANMAR VIO26-6 MS03
shape
Германия, 82256 Fürstenfeldbrück
Экскаватор YANMAR VIO26-6 MS03

Технология полупроводникового производства базируется в настоящее время на таких сложных прецизионных процессах обработки, как фото- и электронолитография, оксидирование, ионноплазменное распыление, ионная имплантация, диффузия, термокомпрессия и др. К материалам, используемым в производстве приборов и микросхем, предъявляют высокие требования по чистоте и совершенству структуры. Полупроводниковая промышленность характеризуется постоянным уменьшением размера структур и повышением плотности интеграции элементов.
  • послойное удаление материала и обработка
  • обработка свободным абразивом
  • плотность интеграции элементов
 Качество   Большой выбор   Инд. подход Инструмент для обработки полупроводниковых материалов и диэлектриков должен соответствовать этой тенденции развития. Для осуществления большинства технологических операций используют уникальное по характеристикам оборудование: оптико-механическое; термическое; ионно-лучевое. Процессы осуществляются в специальных обеспыленных, помещениях с заданными влажностью и температурой.

Полупроводниковые приборы эксплуатируются и при низких температурах. Поэтому энергия ионизации легирующих примесей полупроводникового материала должна быть значительной при температурах до —60°С. Для изготовления магнитоэлектрических приборов применяют арсенид индия и теллурид ртути. Для изготовления термоэлектрических приборов требуются полупроводниковые материалы, обеспечивающие максимальный коэффициент эффективности, т. е. обладающие высокой электропроводностью и низкой теплопроводностью. Такие свойства имеют антимонид цинка, теллурид и селенид висмута и их твердые растворы. При выборе материалов для изготовления фотоприборов руководствуются в первую очередь спектральной чувствительностью полупроводникового материала и особенно значением края поглощения. Полупроводниковые материалы, применяемые для производства лазеров, должны быть чистыми и обладать совершенной структурой. Посторонние примеси и дефекты приводят к появлению внутри запрещенной зоны промежуточных энергетических уровней. Материал для полупроводниковых лазеров должен иметь высокое значение подвижности при данной концентрации носителей заряда. Для механической обработки полупроводниковых материалов не могут быть использованы обычные токарные, фрезерные, строгальные и сверлильные станки, которые широко применяются для обработки различных материалов. Это связано с высокой хрупкостью полупроводниковых материалов. Поэтому основным способом их механической обработки является обработка с использованием абразивов как в связанном состоянии (алмазные диски и шлифовальники), так и в свободном (абразивные суспензии и алмазные пасты). Физическая сущность механизма разрушения хрупкого полупроводникового материала при обработке свободным абразивом заключается в следующем. Частицы абразивного материала, вдавливаясь в поверхность обрабатываемого полупроводникового материала, вызывают образование в ней микротрещин. Эти микротрещины в процессе обработки увеличиваются и распространяются вглубь от поверхности. Дальнейшая обработка приводит к созданию сети трещин, которые, смыкаясь, вызывают сколы отдельных участков полупроводникового материала. Отколовшиеся части удаляют с поверхности исходного образца. Таким образом происходит послойное удаление материала и осуществляется механическая обработка исходного образца.

Обработка полупроводниковых материалов свободным абразивом проводится с использованием различных абразивных суспензий, составной частью которых является жидкость. Наличие жидкости при обработке дает возможность более равномерного распределения абразивных зерен по всей обрабатываемой поверхности исходного образца. Жидкость переносит новую порцию абразивных зерен, поступающих из дозатора, и выносит из зоны обработки разрушенные частицы обрабатываемого материала. Смоченные абразивной суспензией обрабатываемые поверхности не подвергаются перегреву, который может привести к ухудшению качества механической обработки.